Хагас дамжуулагч дан бодисууд олон талын үнэт шинж чанаруудтай болсон тэр нь орчин үеийн техникийн шаардлагыг бүрэн хангасан ч хараахан дутагдалтай байна. Ийм учраас шинжээч нар хагас дамжуулагч өөр бодисуудыг эрж хайхад хүрчээ. Цахиур, германи зэрэг хагас дамжуулагч элементүүд Менделеевийн үелэх системийн IV группд багтдаг. Гэтэл үелэх системийн III ба V группийн элементүүдийн хоорондоос үүсэх химийн нэгдлүүд талст торын байгуулалт ба химийн холбоосын байдлаараа IV группийн элементүүдтэй төстэй болохыг эрдэмтэд ажиглаж тэдгээр нэгдлүүд хагас дамжуулагч шинж чанартай байж болох юм гэсэн таамаглал хийжээ. Үнэхээр 1950-аад оны үеэр Зөвлөлтийн ба бусад орны эрдэмтэд индийн антомонид буюу InSb гэдэг нэгдэл нь шинж чанарын хувьд германитай төстэй хагас дамжуулал болохыг нээжээ. Эндээс эх авч гагцхүү III ба V группээр зогсохгүй бусад олон төрлийн нэгдлүүд ч мөн хагас дамжуулагчуудыг ч үүсгэж чадна. Гагцхүү эдгээр нэгдлүүдийг гарган авах, цэвэрлэх асуудал төвөгтэй учир шийдэгдээгүй шахам байгаа юм. Одоо үед зөвхөн III ба V группийн элементүүдийн нэгдлийг судлаж практикт хэрэглэх болж байна. Энэ нэгдлүүдийг А III ба В V гэж тэмдэглэнэ.
Германи ба цахиурын нэг давуутай тал бол тэдгээрт гүн цэвэрлэгээ хийж бараг гажиггүй тортой талст болгож болдогт оршино. InSb нэгдэл цэврийн хувьд германи, цахиурт ойртон очжээ. Тиймээс ч энэ нэгдэл сайн судлагдаж техникт өргөн хэрэглэгдэх болсон юм. А III B Y нэгдлийн Е=0.17( InSb) 2.25 эв (GaP) хүрнэ. Эндээс харахад InSb –аар хийсэн багаж температур даахдаа том дутагдалтай нь илэрхий байна. A III B Y групп дотроос арсениц галли Ga As гэдэг нэгдлийг хамгийн ирээдүйтэй гэж үзэж судалгааг дэлхийн олон лаборатори , институтууд хийж байна. GaAs бол цахиурын адил их температурт хайлдаг атлаа цахиураас Е нь 1.5 дахин их, цэнэг, зөөгчийн хөдлөх чанар 3 дахин илүү юм. Тэгвэл GaAs багаж цахиураас их температур дааж чадахаас гадна өндөр давтамжийн багаж техникт ч хэрэглэж болно. GaAs ийм сайн чанартай авч дутагдал байдаг. P-тицийн GaAs –ийн үндсэн цэнэг зөөгчийн хөдлөх чадвар нь типийн германийхаас даруй 5 шахам дахин бага байдаг. Одоогийн байдлаар бүхий л талаараа германиас давуу хагас дамжуулагч материал гараагүй байна. Олон янзын хагас дамжуулагч бодисууд орчин үеийн техникийн шаардлагыг хамтын хүчээр хангаж байна гэж хэлж болно. Эцэст шингэн ба аморф хийгээд органик хагас дамжуулагчийн тухай цөөн үг бичье. Шингэн ба аморф биед харагдахуйц байгуулалтай кристалл тор байхгүй боловч тэдгээрийг бараг талст бүтэцтэй гэж үзэж түүндээ үндэслэн шингэн ба аморф хагас дамжуулагчийн онол зохиогджээ. Шингэн ба аморф биед жинхэнэ талстын адил атомуудын байршилд үелэгээр давтагдсан холын эрэмбэ байдаггүй боловч тэнд ойрын эрэмбэ хадгалагдаж байдаг. Ийм нөхцөлд байгаа зарим шингэн ба аморф бие талстад хагас дамжуулагч бодисын шинж чанарыг тодорхой хэмжээгээр агуулж байна. Иймэрхүү бодисыг шингэн ба аморф хагас дамжуулагч гэж нэрлэжээ. Олон тооны органик нэгдлүүд мөн хагас дамжуулагч шинжтэй ажээ. Жишээлэхэд цианин, хлорофил, фуксин зэрэг бодисыг дурдаж болно, синтезлэхдээ ба дулаан боловсруултыг тодорхой нөхцөлд хийвэл хагас дамжуулагч шинжтэй полимерыг гарган авч болдог. Зарим полимер бодис маш сайн механик шинж чанартай байдаг билээ. Тэгвэл хагас дамжуулагч полимерын тусламжтай гоц бэх бат, харимхай чанартай багаж хийх боломж нээгдэх юм.
